本發明涉及一種電化學中基于熒光顆粒標記與主動光學測量的位移/應變測量方法?;趥鹘y的DIC裝置,將白色光源替換為單色激光光源,激光光源為避免與CCD相機位置的干涉,擺放位置與CCD相機成小角度的傾斜形式;在激光光源位置前加裝擴束鏡,擴大激光光束直徑,確保激光能夠照射試件表面待測區域;CCD相機擺放位置為正對試件表面,相機與試件之間的距離以能夠成像清晰為準;由于采用單色激光光源,在CCD相機鏡頭前安裝有濾光片,進行選擇性濾光;與CCD相機配套的為計算機及圖像采集卡的采集系統。本發明優化了散斑質量,提高了計算結果的精度要求,可廣泛應用在光照變化劇烈、高溫、電化學反應等特殊條件下材料的變形測量。
聲明:
“電化學中基于熒光顆粒標記與主動光學測量的位移/應變測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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