本發明涉及一種電網電暈監測系統,具體是指一種基于光電化學型芯片的電網電暈監測系統及其制作方法。本發明先通過水熱法在FTO導電玻璃襯底上沉積一層Ga2O3納米柱,其中,FTO作為電極,之后將材料放置在石英電解槽中,制作一個基于Ga2O3納米柱的光電化學結構的紫外光電探測芯片。本發明的優點是:所制備的氧化鎵基電化學光電芯片性能穩定,對電網電暈深紫外波段(220nm?280nm)的光譜具有日盲特性,可零功耗工作,響應度和靈敏度高,暗電流小,可應用于電氣電弧報警、高壓線電弧、電暈監測領域,具有很大的應用前景。
聲明:
“光電化學型芯片電網電暈監測系統及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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