本發明提供一種利用新型化學改性手段制備高性能光電探測器的方法,步驟如下:1.將納米級厚度的過渡金屬硫屬化合物轉移到Si/SiO2基底上;2.旋涂一層百納米級厚度的光刻膠層,后在烘膠臺上烘烤;3.運用電子束曝光的方法,曝光出電極圖形,經顯影和定影后,在該器件上沉積金屬納米層;4.將上述器件浸泡丙酮中進行剝離,洗去殘留的丙酮,再將器件吹干;5.旋涂一層PMMA層;6.制備出具有長方形區域使器件溝道的一部分暴露;7.制備出CTAB溶液;8.將上述器件浸泡于CTAB溶液之中;本發明所制備的橫向勻質p?n結具有良好的光電特性;所采用微納米加工制備光電探測芯片單元,操作簡便,可控性強,重復性好。
聲明:
“利用新型化學改性手段制備高性能光電探測器的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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