一種化學機械研磨方法及化學機械研磨裝置,可將基板裝載于化學機械研磨(CMP)裝置上,化學機械研磨裝置包括研磨墊及支撐基板的晶圓載體。晶圓載體包括背側板、晶圓載體框架以及至少一光學垂直位移量測單元。光學垂直位移量測單元包括相應激光源及相應像素化影像感測器。使用全反射幾何形狀使激光束反射離開背側板的頂面。在CMP制程期間可在至少一反射點下方的每一位置量測基板的研磨部分的研磨速率或研磨厚度。
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