本發明公開了一種STI CMP工藝窗口確定方法,首先,在最佳估計的研磨時間上下遞增和遞減時間,記錄下氮化硅殘留的膜厚以及相對應的時間;然后對所有的硅片進行光學顯微鏡觀察;接著,對所有無色差的硅片跳過氫氟酸腐蝕,直接用磷酸腐蝕,然后,對所有硅片進行光學顯微鏡觀察;最后將CMP研磨時間工藝窗口的低段和高段之間的氮化膜的差以及所對應的研磨時間段確定為STI CMP工藝窗口。本發明可以有效而快速地建立起STI CMP研磨時間的工藝窗口,為后續優化工藝,縮短開發時間,提高產品良品率奠定基礎。適用于半導體集成電路制造中的STI工藝。
聲明:
“淺溝槽隔離工藝中化學機械研磨工藝窗口確定方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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