本發明是一種硅基三維結構磁場輔助電化學腐蝕的方法,該方法包括光刻硅片、配置腐蝕液、電化學腐蝕前的準備、電化學腐蝕的實施及后處理步驟,其中:在配置腐蝕液的過程中,是將氫氟酸、二甲基甲酰胺和水混合,組成三者的體積比為(2.5~3.5)∶(14~18)∶1的腐蝕液作為負極腐蝕液,將質量濃度96%的分析純NH4F、質量濃度40%的HF和水混合,組成三者的體積比為3∶6∶10的氫氟酸緩沖腐蝕液作為正極的腐蝕液;在磁場配置過程中,是將磁場方向垂直100晶向,同時與電場方向垂直,該磁場方向定為x軸。本發明提供的方法具有工藝簡單、實用性強和容易實施等優點,可以獲得大間距陡直圖形的硅基三維結構的產品。
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