本發明涉及基于二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳的光電化學免疫傳感器的制備方法及應用。本發明以二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳為基底材料并用可見光照射來獲得光電流?;撞牧系娜N組分能帶匹配良好,使光電轉換效率大大提高。用作二抗標記物的二氧化硅/硫化鉛對光電流猝滅作用顯著。待測氨基末端腦鈉肽前體的量不同,導致結合的二抗及二抗標記物的量不同,進而導致了對光電信號影響程度的不同。構建的傳感器實現了對氨基末端腦鈉肽前體的檢測。其檢測限為50?fg/mL。
聲明:
“基于二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳的光電化學免疫傳感器的制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)