本發明公開一種三維ZnO陣列聚吡咯分子印跡電化學傳感器及其制備方法和應用,利用以金為導電基底,以ZnO為基礎材料,在導電基底上直接生長ZnO三維陣列結構,并通過電聚合方法,以對氨基苯磺酰胺為模板分子,制備分子印跡聚吡咯納米陣列,結合電化學工作站構建基于金基底的ZnO陣列分子印跡傳感器。通過ZnO三維納米陣列結構的構建,增加電極材料的比表面積及活性位點,從而提高檢測靈敏度,降低檢測限。
聲明:
“三維ZnO陣列聚吡咯分子印跡電化學傳感器及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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