本發明公開了一種基于MOSFET結構的DNA電化學傳感器,包括CMOS襯底,所述CMOS襯底上沉積有氮化硅層,所述氮化硅層上覆蓋二氧化硅絕緣層;其特征在于所述二氧化硅絕緣層為具有微孔結構的微孔陣列,所述微孔側壁上SiO2絕緣層通過羧基偶聯有DNA探針作為敏感元件。該微孔結構不但可以檢測DNA探針與DNA靶標之間的結合而且可以在微孔中進行模板擴增有利于利用pH檢測功能來檢測DNA的合成,進而具有DNA測序功能。
聲明:
“基于MOSFET結構的DNA電化學傳感器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)