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    基于FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極的分子印跡電化學傳感器及其制備方法

    1061   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 06:59:01
    本發明提供了一種基于FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極的分子印跡電化學傳感器及其制備方法,FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極的制備方法,依次包括以下步驟:將MQDs和FeS2/C分別分散在殼聚糖?乙酸溶液中;將MQDs溶液滴加到GCE上,干燥,得MQDs/GCE;將FeS2/C溶液滴加到MQDs/GCE上,干燥,得FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極。本發明還包括采用上述方法制得的修飾電極以及基于該修飾電極的分子印跡電化學傳感器及其制備方法和應用。本發明具有良好的重現性、可接受的穩定性和高選擇性,同時,有效的實現了雙嘧達莫和硫酸奎寧的同時測定,且解決了兩物質檢測方式復雜昂貴等問題。
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    “基于FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極的分子印跡電化學傳感器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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