本發明提供了一種化學機械拋光方法及裝置,屬于半導體技術領域?;瘜W機械拋光方法包括:利用至少兩個拋光冷卻階段對硅片進行化學機械拋光,每一所述拋光冷卻階段依次包括拋光階段和冷卻階段;其中,在所述拋光階段使用拋光液對所述硅片進行拋光;在所述冷卻階段檢測拋光盤的溫度,根據所述拋光盤的溫度調整冷卻液的添加劑量,將所述冷卻液直接通入到所述拋光盤的表面對所述拋光盤進行冷卻。本發明能夠提高硅片的表面平坦度。
聲明:
“化學機械拋光方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)