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    化學機械拋光方法及裝置

    1100   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 06:59:01
    本發明提供了一種化學機械拋光方法及裝置,屬于半導體技術領域?;瘜W機械拋光方法包括:利用至少兩個拋光冷卻階段對硅片進行化學機械拋光,每一所述拋光冷卻階段依次包括拋光階段和冷卻階段;其中,在所述拋光階段使用拋光液對所述硅片進行拋光;在所述冷卻階段檢測拋光盤的溫度,根據所述拋光盤的溫度調整冷卻液的添加劑量,將所述冷卻液直接通入到所述拋光盤的表面對所述拋光盤進行冷卻。本發明能夠提高硅片的表面平坦度。
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