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    多晶硅環的化學機械拋光方法

    1228   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 06:59:01
    本發明涉及一種多晶硅環的化學機械拋光方法,依次包括將硅環和無紡布拋光墊安裝在拋光機上、粗拋、精拋步驟;粗拋中的粗拋液的成分為氧化鋁(0.23?0.26μm)10%?40%,金剛石(0.32?0.34μm)0.2%?5%,水60%?90%;精拋中的精拋液成分為膠體SiO2(90?120nm)0.8%?1%,SiO2(40?45nm)0.3%?0.5%,哌嗪0.08%?0.12%,氫氧化四甲基銨0.01%?0.05%,純水>98%;在粗拋過程中將含有納米金剛石的拋拋液分散在無紡布拋光墊上,粗拋液中氧化鋁微粉能夠降低硅環表面粗糙度,減小亞表面損傷層深度,提高拋光效率,在精拋過程中,精拋液能夠實現化學作用與機械作用的良好匹配,保證拋光硅晶片高去除速率的同時,避免拋光霧等缺陷的形成,提高拋光后表面質量,拋光方法后硅環平面度<20μm,破損層DOD=0um,經檢測拋光合格。
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