本發明提供一種用于監測并控制反應濺射沉積的方法和裝置。該方法和裝置尤其可用于使用對金屬靶進行濺射的大功率磁控管的化學計量介電化合物(例如,金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物等)在各種基底上的高速沉積,所述濺射包括使用較短的靶(陰極)電壓脈沖(通常40μs至200μs)且具有高達數kWcm-2的靶功率密度的大功率脈沖磁控濺射。對于給定的標稱靶功率水平、靶材料和源氣體而言,在由電源所保持的恒定靶電壓下對反應性氣體進入真空室的脈沖流速進行控制,以促進化學計量介電薄膜在“金屬模式”與“覆蓋(中毒)模式”之間的過渡區中的濺射沉積。
聲明:
“化學計量介電薄膜的高速反應濺射” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)