本發明公開了一種光電化學機械拋光裝置及材料高效去除調整方法,所述裝置包括底座、工作臺、水槽、龍門單元、拋光盤單元、工作主軸單元。本發明通過采用電化學工作站進行晶片拋光過程中電壓施加與電流測量,調節監控晶片的氧化速率并配合比例閥和氣缸,在工控機的控制下調節晶片的拋光壓力,構成一個閉環控制系統,可以實現壓力的精準調節以及晶片化學氧化速度與機械去除速度協調控制,能夠通過調節電場電壓實現晶片氧化速率最大,再調節加載壓力使機械去除速率與氧化速率匹配,進而提高晶片的材料去除率,此外,本發明的裝置左右布置兩套工作主軸單元,能有效減小一套工作主軸單元帶來的傾覆力矩,進而提高晶片表面質量。
聲明:
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