本發明公開了一種氧化鋅紫外探測焦平面成像陣列制作中氧化鋅材料的化學刻蝕方法,該方法首先制作氧化鋅材料的掩模,然后通過氯化銨水溶液進行刻蝕,其中為了改善刻蝕效果還可以對刻蝕液進行水浴加熱。上述刻蝕方法中,由于采用氯化銨溶液作為刻蝕劑,因此它具有以下優點:(1)刻蝕表面平整度高;(2)刻蝕的選擇性非常好(對光刻膠沒有腐蝕性);(3)可以達到非常好的縱橫比要求;(4)對要刻蝕的樣品沒有任何雜質離子的污染,對器件的性能沒有影響;(5)并且只需改變氯化銨溶液的濃度,就可以在保證刻蝕表面平整和比較好的縱橫比的前提下,得到不同的刻蝕速率,操作非常簡單;(6)可以通過控制刻蝕時間來控制刻蝕深度。
聲明:
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