本發明屬于技術領域,具體涉及一種基于中紅外漫反射光譜技術結合化學計量學偏最小二乘法的β?HMX晶型純度檢測方法。該檢測方法采用中紅外漫反射光譜技術結合化學計量學偏最小二乘法建立β?HMX晶型純度定量校正模型及相應的晶型純度測試方法。所建多變量校正模型可以分析重疊光譜和寬譜帶,適用于含有α?HMX雜質晶型的β?HMX產品的晶型純度分析。
聲明:
“基于中紅外漫反射光譜技術的β-HMX晶型純度檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)