一種CMP漿料,所述CMP漿料包括:載體;在所述載體內的微粒材料,其包括氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金剛石或其任何組合;氧化劑,其包括選自過氧化物、過硫酸鹽、高錳酸鹽、高碘酸鹽、高氯酸鹽、次氯酸鹽、碘酸鹽、過氧單硫酸鹽、硝酸鈰銨、高碘酸、鐵氰化物或其任何組合的組的至少一種材料;并且根據標準化拋光測試,材料去除率指數(MRR)為至少500納米/小時且平均粗糙度指數(Ra)不大于5埃。
聲明:
“化學機械平坦化漿料及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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