本發明涉及一種衰減全反射表面增強紅外基底制備方法,以及利用該基底進行檢測的方法,屬于光譜檢測技術領域;現有技術的檢測方法精準度不高,本發明提供的基底及檢測方法,在電化學池的底部形成金屬薄膜電極,在底部的另一側上生長納米柱陣列,再將半球形透鏡固定于納米柱陣列固定于電化學池的底部生長有納米柱陣列一側,提高了檢測精度。
聲明:
“表面增強紅外基底制備及納米柱陣列偏離角檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)