本發明涉及一種檢測氫氣的氣敏元件制備方法,將超聲波和低溫陳化技術運用到鋅鹽、錫鹽的絡合效應與化學共沉淀制備納米ZnSnO3。本發明是在納米ZnSnO3的基礎上,摻雜貴金屬鹽PdCl2、粘接劑(正硅酸乙脂)和去離子水,通過研磨、超聲波震蕩、涂料、燒結等工藝制成新型的PdO-ZnSnO3旁熱式半導體氣敏元件。其中納米ZnSnO3基料采用改進的共沉淀法制得。本發明具有氣敏材料靈敏度高、選擇性強、工作溫度低、制備工藝簡單等優點。
聲明:
“檢測氫氣的氣敏元件制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)