本發明提供一種相變存儲器底部接觸結構的形成方法,包括:提供表面形成有至少兩個導電插塞結構的晶片;在該晶片的表面依次淀積刻蝕終止層、第一介電層、第二金屬層;光刻、刻蝕第二金屬層、第一介電層與刻蝕終止層形成開口,該開口的兩個相對的側壁分別落在兩個導電插塞上;淀積第一金屬層;去除相鄰導電插塞之間的第一金屬層;淀積第二介電層,填充所述開口;依次研磨第二介電層、第一金屬層、第二金屬層形成相變存儲器底部接觸結構,所述研磨過程中,采用感應電流法檢測研磨終點。本發明還提供一種化學機械研磨終點的檢測方法,不限于相變存儲器底部接觸結構的制作。采用本發明的技術方案,對研磨終點的判斷準確,且對硬件的要求低。
聲明:
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