本發明公開了一種膜厚度的檢測方法,包括步驟:1)在硅襯底上,淀積一層阻擋層,并量測阻擋層厚度;2)在阻擋層表面淀積一層待測厚度的膜;3)在待測厚度的膜表面淀積光刻膠,然后,對光刻膠進行圖形化,并且刻蝕待測厚度的膜至阻擋層,形成溝槽;4)淀積絕緣層以填充溝槽;5)利用化學機械研磨進行絕緣層平坦化,量測溝槽中的絕緣層厚度,即為步驟2)的膜厚度。本發明的方法使用快速簡便,準確度高,測試范圍廣,同時,可以達到器件性能調整、標準片制備以及腔體中心化的目的。
聲明:
“膜厚度的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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