• <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>
  • 合肥金星智控科技股份有限公司
    宣傳

    位置:中冶有色 >

    有色技術頻道 >

    > 化學分析技術

    > p GaNi GaN n BN中子探測器

    p GaNi GaN n BN中子探測器

    1004   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:24:12
    本發明公開一種p?GaN/i?GaN/n?BN中子探測器,該中子探測器由Al2O3襯底層、n?BN層、i?GaN層、p?GaN層組成。其制備方法如下:在一定厚度的Al2O3襯底上,利用金屬有機物化學氣相沉積技術先生長n?BN,而后生長未摻雜的i?GaN,最后生長p?GaN,再用感應耦合等離子體刻蝕出n?BN,最后用電子束蒸發在n?BN和p?GaN層分別蒸鍍歐姆接觸金屬電極,完成中子探測器的制作。本發明制備工藝簡單、無需單獨制備中子轉換層,能量分辨率高、探測效率高且結構簡單,在航空航天探索、核能利用與開發、放射性同位素的產生應用以及一些特殊領域有重要的應用價值。
    登錄解鎖全文
    聲明:
    “p GaNi GaN n BN中子探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
    分享 0
             
    舉報 0
    收藏 0
    反對 0
    點贊 0
    標簽:
    化學分析
    全國熱門有色金屬技術推薦
    展開更多 +

     

    中冶有色技術平臺

    最新更新技術

    報名參會
    更多+

    報告下載

    赤泥綜合利用研究報告2025
    推廣

    熱門技術
    更多+

    衡水宏運壓濾機有限公司
    宣傳
    環磨科技控股(集團)有限公司
    宣傳

    發布

    在線客服

    公眾號

    電話

    頂部
    咨詢電話:
    010-88793500-807
    專利人/作者信息登記
    久爱国产精品一区免费视频_无码国模国产在线观看_久久久久精品国产亚洲A_国产综合精品无码
  • <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>