本發明彎曲平板波過敏感測器的制造方法是利用電化學硅蝕刻停止工藝,蝕刻表面聲波元件的N型磊晶硅層達到3微米以內,并加入反射柵極且結合自我組裝單分子層以形成彎曲平板波過敏感測器。所述反射柵極可使波傳的能量損失降低,并使后續的元件測量與電路設計更加容易。本發明的彎曲平板波過敏感測器具有高準確度、高靈敏度、低操作頻率、檢測時間短以及成本較低等優點。
聲明:
“彎曲平板波過敏感測器及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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