本發明提供了一種基于共摻雜一維SiC納米結構的高溫紫外光電探測器制備方法,步驟包括:對碳化硅單晶片摻雜得到鋁氮共摻雜碳化硅;通過陽極電化學刻蝕法在鋁氮共摻雜碳化硅表面形成一維碳化硅;取一維碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散劑揮發后在二氧化硅片表面形成分散平鋪的一維碳化硅;在二氧化硅片上的一維碳化硅兩端蒸鍍高溫合金電極;二氧化硅片退火氧化在一維碳化硅表面封裝二氧化硅層。本發明提供的基于共摻雜一維SiC納米結構的高溫紫外光電探測器制備方法,制作簡單、紫外光檢測率高、能夠適應高溫環境且高溫環境服役時間較長。
聲明:
“基于共摻雜一維SiC納米結構的高溫紫外光電探測器制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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