本發明公開了一種單層MoS2同質結、光探測器及其制備方法、電子元件,該單層MoS2同質結包含:n型MoS2和相鄰的p型摻雜MoS2,二者構成p?n同質結;其中,該p型摻雜MoS2是由單層MoS2薄膜經過選區p型離子摻雜得到的。在不引入新材料的前提下,利用簡單的化學摻雜方式構造同質p?n結,可以有效提高光生電子空穴分離效率和傳輸速度,提升由其制備的光探測器的響應度,具有工藝簡單,低功耗等優點,還可以應用于柔性整流二極管、開關二極管、太陽能電池等電子元件中,在柔性傳感、醫療檢測、可穿戴器件方面具有良好的應用前景。
聲明:
“單層MoS2同質結、光探測器及其制備方法、電子元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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