本發明涉及一種利用磁力攪拌激勵的垂直沉積技術生長多晶碘化汞薄膜的工藝,生長出來的多晶碘化汞薄膜作為過渡緩沖層,特別適合于X射線、Gama射線多晶碘化汞厚膜探測器的制備,本發明屬化學液相沉積技術領域。本發明以2, 7-二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽(又名汞溴紅)、碘酊為先驅反應溶液,無水酒精為溶劑,制得了多晶碘化汞薄膜。對所制備的薄膜采用金相顯微鏡、XRD、紫外-可見分光光度計進行表征。結果表明化學液相垂直沉積法可制備得到沿晶向柱狀生長的多晶碘化汞薄膜,且晶粒結構完整性好、均勻性佳,膜厚約為800nm,禁帶寬度為2.26eV。本發明具有潛在的實際應用前景。
聲明:
“用于輻射探測器的多晶碘化汞薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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