一種二氧化鈦紫外光電探測器的制備方法,涉及一種半導體光電探測器件。提供一種器件暗電流較小的二氧化鈦紫外光電探測器及其制備方法。探測器采用金屬-半導體-金屬結構,從下到上包括一層絕緣襯底,利用磁控濺射技術在絕緣襯底上沉積的多晶TiO2薄膜,用磁控濺射或電子束蒸發技術在TiO2薄膜上制備的叉指金屬電極。采用優化濺射工藝參數沉積高質量多晶TiO2薄膜,沉積的薄膜具有理想的化學配比,高的致密度和結晶度。利用該薄膜為基體制備的MSM結構紫外探測器具有響應度高,暗電流小,紫外可見抑制比高等優點。制備過程簡單,成本低,若在Si基襯底上制作,則可與成熟的Si工藝兼容,有利于光電集成,容易產業化。
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