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    變摻雜變組分的AlGaNGaN中子探測器

    815   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:27:10
    本發明公開一種變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測器,為PIN結構,以自支撐n型GaN作為襯底,在襯底上利用金屬有機物化學氣相沉積技術順序生長變摻雜變組分n型AlGaN層、未摻雜GaN層和p型GaN層;在p型GaN和n型襯底上沉積金屬并做退火處理形成歐姆接觸電極;在p型GaN層上沉積10BC4或6LiF作為中子轉換層。AlGaN/GaN變摻雜變組分結構內部具有內建電場,當中子照射到10BC4或6LiF后發生核反應產生α粒子,α粒子電離AlGaN/GaN產生電子空穴對,該電場驅動電子、空穴分別向n型和p型電極兩端定向運動,有利于收集效率的提高和漏電流的減小,從而提高了中子探測器的靈敏度以及探測效率。
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