一種MSM結構4H?SiC紫外光電探測器的制備方法,涉及紫外光電探測器的制備。在n型4H?SiC襯底外延生長一層半絕緣層后,將材料樣品切割成矩形條狀樣品,采用標準RCA程序清洗表面,進而采用電熱分解生長方法,通過環境條件、溫度及生長時間控制,使用DC直流電源通電于矩形條狀樣品兩端,直接在4H?SiC外延層的Si面熱生長多層石墨烯薄膜,優化生長技術條件,通過光刻圖形化,結合ICP刻蝕,在器件表面制備出MSM結構用的叉指電極;濺射沉積組合金屬焊盤,再在樣品表面通過等離子體增強化學氣相沉積法覆蓋生長一層致密的SiO2作為鈍化層;用光刻與刻蝕工藝,去除圓形焊盤區域上的SiO2,即得。
聲明:
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