本發明公開了一種非制冷紅外探測陣列用自摻雜硅鍺/硅多量子阱結構并具有較高溫度電阻系數的熱敏材料。材料包括底部接觸層、底部隔離層、硅鍺/硅多量子阱結構、頂部隔離層和頂部接觸層。當隔離層厚度為35~100nm,硼粒子由接觸層自擴散至硅鍺/硅多量子阱結構中,并形成載流子。該種設計簡化了工藝過程,有利于制備晶格質量較高的硅鍺/硅多量子阱結構。另外,本發明公開了該種材料所應用的一種非制冷紅外探測陣列的像元結構。雙支撐層的厚度均為200nm~250nm,在滿足光學條件的情況下使得像元結構更為穩定。本發明還公開了該種材料的一種基于低壓化學氣相沉積技術的外延生長工藝過程。
聲明:
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