本公開提供了一種基于石墨烯?CMOS單片集成的探測器芯片的制備方法,包括:S1,在CMOS集成電路表面沉積隔離層;S2,在隔離層中刻蝕通孔,填充金屬;S3,在隔離層表面濺射金屬鎳層;S4,在金屬鎳層的表面等離子增強化學氣相淀積石墨烯;S5,腐蝕去除金屬鎳層;S6,制備電極,得到基于石墨烯?CMOS單片集成的探測器芯片。本公開還提供了一種基于石墨烯?CMOS單片集成的探測器芯片的紅外成像系統。本公開通過引入石墨烯?CMOS單片集成探測器芯片可以實現多光譜的紅外成像,有效地解決了現有紅外成像領域低成本、多光譜紅外成像的技術難點。
聲明:
“基于石墨烯-CMOS單片集成的探測器芯片的制備方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)