本發明提供了一種日盲型紫外光電探測器及其制備方法,該日盲型紫外光電探測器,包括:導電基底,其上開設有溝道;Ga2O3納米柱陣列,其位于所述溝道上;聚甲基丙烯酸甲酯層,其覆蓋Ga2O3納米柱陣列。本發明的日盲型紫外光電探測器,Ga2O3具有高的熱穩定性和化學穩定性,其禁帶寬度約為4.9eV,只對日盲區的深紫外光敏感,相比傳統使用AlGaN、MgZnO等材料,Ga2O3不需要任何摻雜來調節帶隙,避免了合金相的成分波動和相分離;而使用的聚甲基丙烯酸甲酯層,使得日盲型紫外光電探測器具有較低的暗電流,在低光強下仍具有較高的開關比。
聲明:
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