本發明公開一種變摻雜變組分AlGaAs/GaAs核輻射探測器,該探測器結構為PIN結構,以n型GaAs作為襯底層,在GaAs襯底層上采用金屬有機物化學氣相沉積技術順序生長變摻雜變組分n型AlGaAs?N層、本征GaAs?I層、變摻雜變組分p型AlGaAs?P層和p型GaAs歐姆接觸帽層;在變摻雜變組分AlGaAs/GaAs材料上沉積SiO2鈍化層,在變摻雜變組分AlGaAs/GaAs材料及襯底上利用電子束蒸發技術分別形成p型和n型電極層;對形成的電極進行退火處理。本發明的優點在于:使得P區和N區內部產生內建電場,驅動產生的電子、空穴分別向兩端定向運動,增加收集效率,提高探測器的靈敏度以及探測效率。該探測器可用于α射線和X射線等高能射線的探測。
聲明:
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