本發明公開了高響應度β?Ga2O3基異質結自供能紫外探測器及其制備方法和應用,屬于半導體光電器件領域。該紫外探測器由下至上包括依次層疊設置的襯底、第一電極、p型寬禁帶導電薄膜、本征β?Ga2O3薄膜耗盡層、n?β?Ga2O3:Sn導電薄膜、n+?β?Ga2O3:Sn電子收集層、MgO:Na或MgO:K薄膜鈍化層和第二電極,p禁帶導電薄膜的禁帶寬度大于3.0eV。本發明利用化學氣相沉積、金屬有機物氣相外延、脈沖激光沉積等真空制膜方法得到高響應度β?Ga2O3基異質結自供能紫外探測器,有效提高了β?Ga2O3基異質結薄膜紫外探測器的響應度,應用在日盲波段探測方面前景廣闊。
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