本發明涉及光電探測領域,具體涉及一種石墨烯場效應晶體管量子點光電探測器及其制備方法;該光電探測器為多層薄膜結構,包括Si襯底層、第一絕緣層、第二絕緣層、石墨烯溝道層、量子點光敏介質層以及源極與漏極;襯底上依次熱氧化生長第一絕緣層氧化硅,磁控濺射法生長第二絕緣層氮化鋁作為雙絕緣層,增強型化學氣相沉積法生長石墨烯層于雙絕緣層上,石墨烯層兩端設有源極和漏極,源極和漏極之間涂覆一層量子點光敏介質層。本發明通過設計合理的器件結構,在光照情況下量子點和石墨烯之間可發生有效的電荷轉移,從而將特定頻率的光轉換成光電流,最終實現對入射光的有效探測。
聲明:
“石墨烯場效應晶體管量子點光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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