本發明提供了化學敏感的晶體管器件(諸如ISFET裝置)的測試,無需將所述裝置暴露于液體。在一個實施方案中,本發明執行第一試驗來計算晶體管的電阻?;谒鲭娮?,本發明執行第二試驗,以使試驗晶體管在多個模式之間轉變?;趯臏y量結果,然后在幾乎沒有至沒有電路開銷的情況下計算浮動柵電壓。在另一個實施方案中,使用至少任一個源或排出裝置的寄生電容來偏壓ISFET的浮動柵。施加驅動電壓和偏壓電流,以利用寄生電容來測試晶體管的功能性。
聲明:
“用于測試ISFET陣列的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)