本發明公開了一種納米材料透射電鏡原位測試芯片、芯片制備方法及其應用,屬于納米材料性能原位測試技術領域。本發明的芯片包括硅基片、絕緣層和薄膜窗口,在硅基片兩面都長有絕緣層;芯片正面絕緣層上長有金屬薄膜或器件,或者半導體功能薄膜或器件,可對樣品施加各類物理、化學作用;芯片中央有薄膜窗口,在薄膜窗口區域開有大長寬比透電子束長孔或透電子束長槽,本發明能夠在原子尺度分辨率下對透射電鏡樣品進行原位測量,除了可原位表征納米線、納米管樣品外,也可實現塊體樣品、異質結界面樣品的原位表征,同時能夠實現在聚焦離子束系統內和實驗室中用微操作手放置樣品,也可以對已轉移固定在芯片上的樣品使用離子減薄設備進行繼續加工。
聲明:
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