本發明屬于探測器芯片制造技術領域,具體為一種低表面漏電流臺面型光電探測器及其制作方法,所述方法包括在外延片的頂層沉積掩膜,通過光刻工藝開出臺面刻蝕窗口;采用濕法刻蝕將外延片刻蝕成外延臺面,進行表面化學清洗,去除濕法刻蝕反應殘留產物等;采用硫化工藝處理,鈍化外延臺面的側壁表面,降低其表面態;使用六甲基二硅胺處理側壁表面,再涂覆苯并環丁烯,形成保護層;在氮氣氣氛保護下,采用分布升溫固化;刻蝕部分保護層,使臺面的頂部裸露,根據蒸發或濺射方式在接觸層上表面淀積金屬膜,經剝離后形成P型電極;將背面減薄,在背面沉積增透膜;采用帶膠剝離制作N電極。本發明解決臺面型器件由于濕法刻蝕造成的側壁表面鈍化困難問題。
聲明:
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