本發明公開了一種二維排列雙面錯嵌式三維探測器及其制備方法、陣列,包括上溝槽電極和下溝槽電極,上溝槽電極和下溝槽電極分別刻蝕在中間半導體基體表面;上溝槽電極內嵌有上中央電極,上中央電極和上溝槽電極間填充有上半導體基體;下溝槽電極內嵌有下中央電極,下溝槽電極和下中央電極間填充有下半導體基體;上溝槽電極和下溝槽電極的外寬均為2RX,下溝槽電極位于上溝槽電極下方,兩者垂直相距d3,且兩者水平方向四分之一部位重疊,上中央電極和下中央電極規格相同。通過吸雜氧化在芯片表面生成二氧化硅層,然后經標記與光刻將探測器圖形轉移到二氧化硅層上,再進行陰極電極和陽極電極的刻蝕和化學沉積擴散,最后進行損傷修復及封裝。
聲明:
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