本發明公開了一種半導體非球面加工方法,其包括以下步驟:1)對待加工的非球面進行分析;2)根據MRP,結合工作函數,確定出數控小磨頭的工作參數,所述MRP為化學試劑在待加工非球面的半導體材料上的去除率;3)將半導體材料銑磨好最接近球面,然后固定在非球面數控加工中心上,將工作參數輸入到非球面數控加工中心,對半導體材料進行拋光;4)一個周期拋光結束后,對半導體非球面進行檢測,將檢測數據反饋給非球面數控加工中心,重復步驟2、3、4直到半導體非球面的面形精度達標。本發明公實現了對半導體非球面的面形高精度高光潔度的拋光。
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