本發明公開了一種調整CMP(化學機械拋光)后晶圓膜厚均勻性的方法,調整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法包括:提供一待拋光晶圓;對晶圓進行CMP制程;在晶圓上取多個測量點,多個測量點在晶圓上陣列排布;測量每個測量點處晶圓的膜厚值;在晶圓上以晶圓的圓心為原點建立坐標系,其中每個測量點在坐標系內的橫坐標為X,縱坐標為Y;根據橫縱坐標繪制統計圖,每個測量點在統計圖中的縱坐標為對應測量點的膜厚值,每個測量點在統計圖中的橫坐標為觀察分析統計圖中曲線輪廓,并調整對晶圓的各區的拋光壓力。根據本發明實施例的調整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法,具有便于控制拋光壓力、晶圓表面厚度均勻性好等優點。
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“調整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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