本發明公開了一種半導體材料放大光纖,本發明納米半導體薄膜內包層光纖結構,考慮半導體材料能帶結構特性,實現新型結構光纖,并采用改進的化學氣相沉積法,在相應實驗設備條件下制備出50m納米半導體薄膜包層光纖;通過對光纖摻雜半導體材料的特性分析,從納米材料的制備、光纖拉制的過程等方面,探討并制成了摻納米半導體InP材料放大光纖通過等離子發射光譜儀和掃描電鏡,對制備出的新型結構光纖進行摻雜濃度測試和微觀結構觀察;由測試系統得到制備光纖的光放大增益曲線和超連續譜,獲得光纖的放大增益。
聲明:
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