本發明屬于低溫等離子體化學技術領域。本發明由不包含基片的溫度測控的等離子體輔助沉積碳化硅薄膜的裝置加上塵埃顆粒的監控部分組成,其特征是:由激光器和光具組來照明塵埃顆粒,由記錄設備和計算機來記錄和分析塵埃顆粒的狀況,沉積碳化硅薄膜的反應室設計成透明的或開一個以上觀察窗口,用微凹的驅動極,直流負偏壓電源,從反應室外向反應室內投入塵埃顆粒的部件來控制塵埃顆粒。本發明的效果和益處是能克服傳統方法中由于高溫所致的種種缺點,能夠在常溫下沉積碳化硅薄膜,可廣泛用于需要沉積碳化硅薄膜的各種領域,改變工作介質,還可沉積其他類型的薄膜。
聲明:
“用塵埃等離子體在常溫下沉積碳化硅薄膜的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)