本發明提出一種判斷復合介電層質量的方法,包括下列步驟:在半導體襯底上化學氣相沉積復合介電層,所述復合介電層包括一層或者一層以上低介電常數介電層,和一層或者一層以上低介電常數阻擋層,其中,任意一層低介電常數介電層和低介電常數阻擋層的材料都不相同;對所述復合介電層進行干法蝕刻直至露出半導體襯底,形成凹槽結構;對所述凹槽結構的側壁進行濕法蝕刻,形成刻蝕程度不同的側壁結構;對所述復合介電層的側壁結構進行分析,以便判斷復合介電層的質量。本發明提出的判斷復合介電層質量的方法,可簡單有效地判斷復合介電層的質量,節省大量時間。
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