本發明涉及一種多壁碳納米管@X復合電極及其制備方法和應用,所述多壁碳納米管@X復合電極的制備方法如下:S1:通過直流等離子體增強化學氣相沉積的方法,在玻璃碳上生長垂直有序的多壁碳納米管陣列;S2:通過磁控濺射的方法將活性物質X涂覆于?S1所述多壁碳納米管陣列表面;其中,所述多壁碳納米管的直徑為10~300nm,長度為100~5000nm,多壁碳納米管陣列中管之間的距離為50nm以上。本發明提供的多壁碳納米管@X復合電極具有更高的比表面積、優異的導電性能、較高的機械性能和化學穩定性,可以廣泛應用于電催化、電化學分析、超級電容器、電池等各種電化學應用領域。
聲明:
“多壁碳納米管@X復合電極及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)