本發明屬于薄膜材料技術領域,涉及碳基薄膜材料技術領域,具體涉及一種Cr摻雜ta?C導電耐蝕碳基薄膜及其制備方法和應用。本發明的Cr摻雜ta?C導電耐蝕碳基薄膜為CrC納米晶鑲嵌的四面體非晶碳母相結構,由Cr過渡層、Cr梯度含量摻雜ta?C過渡層和Cr摻雜的ta?C層組成,薄膜中Cr的摻雜含量為9.6~23.2at.%;所述薄膜采用磁過濾電弧離子鍍和磁控濺射復合沉積技術在金屬基底上沉積制得。本發明的Cr摻雜ta?C薄膜具有高sp3碳?碳鍵含量、低殘余內應力、高導電性和高耐電化學腐蝕性,可應用于燃料電池金屬雙極板、電化學有機污水處理薄膜電極和電化學重金屬離子檢測薄膜電極等領域。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)