本發明公開了一種MBE外延片生產方法,包括如下步驟:步驟S1、襯底處理、步驟S2、生長介質層、步驟S3、熱化學處理、步驟S4、生長氮化物潤濕層、步驟S5、依次生長AlGaN緩沖層、n?GaN層、InGaN/GaN MQWs量子阱層和p?GaN層、步驟S6、檢測合格后,包裝。本發明公開的MBE外延片生產方法工藝簡單,操作控制方便,耗能低,對設備依賴性小,適合工業化大規模生產;通過該生產方法制成的MBE外延片表面質量好、缺陷少,襯底易去除,電化學性能優異。
聲明:
“MBE外延片生產方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)