多層基板包括在復合層上CVD生長的金剛石層。該復合層包括金剛石和碳化硅與任選的硅的顆粒。該復合層中的金剛石的載荷水平(按體積計)可為≥5%、≥20%、≥40%、或≥60%。該多層基板能夠用作光學器件;用于檢測輻射粒子或電磁波的檢測器;用于切割、鉆孔、機械加工、碾磨、研磨、拋光、涂布、粘結、或釬焊的裝置;制動裝置;密封條;導熱體;電磁波導體;在升高的溫度下或在低溫條件下用于腐蝕性環境、強氧化性環境、或強還原性環境的化學惰性裝置;或用于拋光或平坦化其它器件、晶圓或膜的裝置。
聲明:
“包括金剛石層以及金剛石和碳化硅以及任選的硅的復合層的基板” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)