本發明公開了一種MEMS紅外光源及其制備方法,通過MEMS加工技術,制備出適合氣體檢測的MEMS紅外光源,包括如下步驟:1)在雙面拋光的單晶硅襯底上,利用干法氧化的方法,在兩面形成致密的氧化硅薄膜,隨后以化學氣相沉積的方式在正面生長氮化硅薄膜;2)在氮化硅薄膜上,以磁控濺射的方式生長電極連接層Ti和電極層Pt;3)以MEMS加工工藝中的光刻、刻蝕等方法,圖形化出加熱電極;4)以反應離子刻蝕的方式,去除多余的氧化硅和氮化硅;5)以干法刻蝕和濕法刻蝕相結合的方式,形成懸空結構。本發明制備的MEMS紅外光源工藝簡單,成本低,易于批量化生產,適用于便攜式、微型化的氣敏檢測系統。
聲明:
“MEMS紅外光源及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)