本發明涉及表面具有增強拉曼散射效應的活性基底及其制法和應用。本 發明的活性基底是用化學刻蝕的方法在單晶硅基片上制備出硅納米線陣列, 在硅納米線陣列的頂端制備出一種具有顯著增強拉曼散射效應的形貌呈網狀 的銀納米薄膜,從而得到由分布在單晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅納 米線陣列,及在垂直定向站立排列的硅納米線陣列頂端的形貌呈網狀的銀納 米薄膜構成的表面具有增強拉曼散射效應的活性基底;所述的網狀的銀納米 薄膜是由直徑大小為150~350nm的銀納米顆粒構成。本發明的活性基底可 檢測出溶液中濃度為10-17mol/L的羅丹明6G分子,實現了溶液中超低濃度羅 丹明6G分子的檢測。
聲明:
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